シリコン量子井戸におけるトンネル電流注入発光

摘要

薄層SOI-MOSFETに対し電子トンネル分光を行うことでシリコン層の二次元状態形成を確認した。同様の薄層SOI-MOSFETにpコンタクトを設けたデバイス対して、トンネル電子注入と正孔供給を行うことで、シリコン量子井戸からバンド端に近い発光を確認した。電流注入発光により得られた結果から、薄層SOIによる閉じ込めが発光効率向上に寄与することを示す。更にゲート電界効果においては、SOI-MOSFETbチャネル層に不純物を導入することで巨大なシュタルクシフトが観測されることを示し、薄層シリコン発光における不純物の機能について議論する。