トンネル注入量子井戸レーザにおけるキャリア注入確率と再結合確率の解析

摘要

量子井戸活性層にキャリア遷移過程を制御して注入する構造を併設したトンネル注入量子井戸構造において,活性層へのキャリア注入確率と発光再結合確率の構造依存性を理論的に解析し,本構造を有したレーザデバイス設計の指針を示した.従来構造ではキャリア注入確率を制御していないが,本構造では注入領域の構造を変化させることでその制御が可能になり,より高速な(<10ps)キャリア注入といった特性が可能になる.本報告では注入層の厚さと組成を変化させて,そのキャリア注入確率をLOフォノン散乱確率を基に解析し,その際の発光再結合確率とあわせてレーザデバイスに適した活性層を設計する指針について報告する.