Electromagnetic Band Gapを用いた薄型マイクロストリップ／導波管変換器

摘要

マイクロストリップ線路と導波管とを接続するマイクロストリップ／導波管変換器として，マイクロストリップ線路により形成したプローブを導波管E面より挿入する変換器は，構造が簡単で良好な特性を得やすいため良く用いられている．しかしながら，本構成の変換器はマイクロストリップ線路を構成する誘電体基板の背面にλ{sub}o/4のバックショートを必要とするため構造が厚くなる，導波管とバックショートの位置ずれによる特性劣化が生じる，等々の問題点がある．本報告では上記問題を解決するために，バックショートの代わりにElectromagnetic Band Gapを用いた変換器構成を提案し，その試作結果及び解析結果により本構造の有用性を示す．また，広帯域化の一手法として誘電体多層基板を用いた変換器構成を提案する．