ビット密度5.92Mb／mm~2を実現したダブルポンピング回路を用いた28nm擬似2RW DP-SRAM

摘要

6TシングルポートSRAMセルとダブルポンピング回路を用いて、2-read/write（2RW）機能を実現した擬似2RWデュアルポートSRAMを提案する。この擬似デュアルポートSRAMは8TデュアルポートSRAMセルを用いた従来型の2RWデュアルポートSRAMより小さなチップ面積とリーク電流を実現する。28nmHK/MGプロセスを用いて512kbit容量のテストチップを試作し、5.92Mbit／mm~2のビット密度と760uAの低リーク電流を達成した。このビット密度はこれまで発表された2KWデュアルボードSRAMの中で最も高いものである。