MOCVD法によるPb(Zr,Ti)O{sub}3極薄膜のエピタキシャル成長と電気的特性

摘要

MOCVD法によってSrRuO{sub}3(SRO)/SrTiO{sub}3(STO)基板上に成長させたPb(Zr,Ti)O{sub}3(PZT)極薄膜のエピタキシャル成長と電気的特性に基板表面の平坦性が及ぼす影響について調べた．表面処理によって原子レベルで平坦な表面を持つSTO基板上に堆積させたSRO表面は，平坦なテラスおよびステップを有していた．一方，未処理のSTO基板上に堆積させたSRO表面にはテラスおよびステップが観察されなかった．SRO／処理STO基板上に成長させた膜厚20nmのPZTは飽和したヒステリシスが得られたのに対し，SRO／未処理STO基板上に成長させたPZTではリーク電流の増加により飽和したD－Eヒステリシスが得られなかった．