窒素高濃度極薄SiON膜のV_fb改善メカニズム

摘要

次世代のゲート絶縁膜として窒素高波度SiON膜を実用化するためには、窒素高濃度化に伴うV_fbシフト問題を解決する必要がある。 これには、均一に高密度化されたN≡Si_3を持つ高品質な窒化膜を形成した上でN≡Si_3の破壊を抑えた弱酸化を適量行うことが効果的である。これにより絶縁性、界面特性、信賴信に優れたSiON膜を形成することができる.