光EFISHG法による有機EL素子の非破壊寿命推定

摘要

電界誘起光第2次高調波発生法（光EFISHG法）は、有機材料·デバイス内部のキャリア挙動を光学的にプローブできる測定手法である。本手法により有機デバイスの絶縁破壊前駆現象として現れるキャリア挙動を検出することで、予めデバイスの電気的破壊を察知することが可能である。本稿では、積層膜型有機EL素子中のキャリア蓄積現象と素子中の電界分布について述べ、IZO／α-NPD／Alq3／Al構造素子の測定例を取り上げて破壊前駆現象として現れるキャリア挙動について紹介する。