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Electron‐hole interaction and high‐field transport of photoexcited electrons in GaAs

机译:砷化镓中光激发电子的电子连字符;空穴相互作用和高连字符场输运

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摘要

We use a theoretical ensemble Monte Carlo method to study the response of carriers photoexcited by a 1.55‐eV laser pulse to applied electric fields (less than 5 kV/cm) for excited carrier densities between 1017cm−3and 1018cm−3. It is found that the electron‐hole interaction reduces the fraction of electrons that transfer to the upper valleys and reduces the velocity of the electrons. These effects are more significant at low electric fields and higher excitation levels. The energy of the holes rises initially due to the energy transfer from the hot electrons through the electron‐hole interaction. This is also reflected in a higher velocity for the holes during the first picosecond.
机译:我们使用理论系综蒙特卡罗方法研究了1.55‐eV激光脉冲光激发的载流子对外加电场(小于5 kV/cm)的响应,激发载流子密度在1017cm-3和1018cm-3之间。研究发现,电子与空穴的相互作用降低了转移到上谷的电子的比例,并降低了电子的速度。这些效应在低电场和较高的激励水平下更为显著。空穴的能量最初是由于热电子通过电子和连字符相互作用的能量转移而上升的。这也反映在第一个皮秒内孔的较高速度上。

著录项

  • 来源
    《journal of applied physics》 |1987年第12期|5330-5336|共页
  • 作者

    M. A. Osman; D. K. Ferry;

  • 作者单位
  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 英语
  • 中图分类
  • 关键词

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