雑音と線形性を考慮したCMOS低雑音増幅器の設計手法に関する検討

摘要

線形性の向上を目的とした低雑音増幅器（Low－NoiseAmplifier：LNA）の設計手法について検討を行った．本論文で検討した設計手法を用いると，従来の設計手法と比較してLNAの三次入力インタセプトポイント（Input third－OrderIntercept Point：IIP3）を2.OdB改善できることを確認した．