AlN/Sapphire基板を用いた高Al組成AlGaNのMOVPE成長と光学特性

摘要

AlNモル分率の大きいAlGaNをGaN上に成長させるとAlGaNに働く引っ張り応力が大きくなり、小さい臨界膜厚でクラックが発生するため、高品質の高AlNモル分率AlGaNを作製することは困難である。 本研究では、減圧MOVPE法により高品質AlGaNを成長させるためにエピタキシャルAlNを下地として用い、成長温度に対するAlGaNの組成と成長速度変化を調べ、また結晶性、光学特性などの評価を行った。得られたAlGaNはcrack-feeであり、(0002)XRC のFWHMは200arcsec程度であった。 またCL発光スペクトルはバンド端近傍からの発光ピークのみで深い準位に関する発光が見られなかった。 以上よりエピタキシャルAlNを下地とすることにより高品質、Crack-freeのAlGaNの成長が可能であるといえる。