GaAs高周波デバイスの湿度に起因した劣化

摘要

AIGaAsnnGaAsPHEMTの高温高湿環境下の劣化機構について調べた。 高温高湿環境下で劣化したサンプルはImaxの低下とVthの正のシフトを示した。 PHEMTの劣化は主に2つの劣化メカニズムが考えられる、（1）絶縁保護膜の剥離に起因したゲート直下のストレス変化によるVthの」王のシフト、（2）AIGaAsリセス表面の劣化と、絶縁膜／AIGaAs界面におけるGa、As、及びAlの拡散に起因したAlGaAs電子供給層のキャリア密度の減少によるImax低下である．。 さらに高温高湿環境下で電界が加わった場合、ゲ一斗－ドレイン間の高電界領域において表面劣化が加速されるため、Imax低下の問題が顕著になる。