915nm半導体レーザーの高出力化における窓構造とその特性

摘要

IFVD（Impurity-Free Vacancy Disordering）法によって窓構造を形成した915nm高出力半導体レーザーについて報告する．窓構造を適切に形成することで，出力15W動作における信頼性を確認した．窓領域およびゲイン領域のバンドギャップ差とデバイスの信頼性との関係についても述べる．