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【24h】

FC-SGTフラッシュメモリセルのサブスレッショルド特性に関する解析

机译:FC-SGT闪存单元的亚阈值特性分析

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摘要

本論文ではFC-SGTフラッシュメモリセルのS-factorを求める解析モデルを導出し,その解析結果が三次元デバイスシミュレーション結果とよく一致することを確認した.FC-SGTフラッシュメモリセルは従来の平面型フラッシュメモリセルと比較して,十分小さいS-factorを示す.その結果として,FC-SGTフラッシュメモリセルは従来の平面型フラッシュメモリセルよりも多値化の実現を容易にすることを明らかにした.
机译:本文推导了分析模型,得到了FC-SGT闪存单元的S因子,并确认分析结果与3D器件仿真结果吻合较好。 结果发现,FC-SGT闪存单元比传统的平面闪存单元更容易实现多值。

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