β-FeSi_2／Siヘテロ接合と整流特性

摘要

β-FeSi_2薄膜を，FeSi，合金ターゲットを用いた対向ターゲット式DCスパッタリング（FTDCS）法によって，Si（111）基板上に基板温度6000Cで直接エピタキシャル成長した．通常8000C以上のポストアニールを必要とするが，比較的高エネギーなFTDCS法で直接エピタキシャル成長させることで200℃の低温化を実現した. 生成膜の膜表面は，所々小さなピントールが親られたが，平均荒さ1．47nmを示し，比較的滑らかであった．光吸収スペクトル測定から見積もられた，直接遷移および間接遷移のバンドギャップは単結晶バルクの値にほぼ一致した．電気伝導率の温度依存性から，ターゲットの不純物のCoが，膜中にも存在してドナーとして働いていることが示唆された. N 型β－FeSi2／p型Siヘテロ接合は整流特性を示した．ものの，大きなリーク電流が観測された．