不揮発性素子MTJを適用したスタンダードセルメモリ回路の設計と評価

摘要

近年、携帯情報端末の普及により、高性能化かつバッテリーの長持ちする製品が求められるようになってきた。そこで本研究では、不揮発性の強磁性トンネル接合（Magnetic Tunnel Junction：MTJ）をスタンダードセルメモリ（SCM）に適用することによって、パワーゲーティングと併用して消費電力を低減できる回路を提案し、SRAM と比較したときの優位性の検討を行った。