MOS構造における重イオン照射誘起電流

摘要

重イオン照射時のMOS構造における過渡電流発生メカニズムについて検討を行った．AlゲートMOSダイオードに，重イオン（アルゴン，酸素）照射実験を行った結果，照射誘起過渡電流は，半導体表面が空乏状態となるバイアス条件でのみ観測され，そのピーク値は照射中の印加電圧，酸化膜厚，及び重イオンの素子内での線エネルギー付与に依存することが分かった．また，デバイスシミュレーションを用いた計算結果と実験結果との比較を行った結果，酸化膜を完全絶縁膜としたモデルにより実験結果を定量的に説明できることが分かり，MOS構造の重イオン照射誘起電流は酸化膜を介した変位電流成分が支配的であることを確認した