Gbit級MRAM機能動作の計算機シミュレーション

摘要

計算機シミュレナションにより、Gbit/cm{sup}2級磁性ランダムアクセスメモリ(MRAM)のパルス導体電流による書き込み動作特性を調べた。 計算の結果、代表的MRAM構成試料を想定した幅w(50nm＜w＜0.5μm)，厚さt(1 mm＜t80K{sub}{sub}BT(＠300k)を満足する膜厚は3.5nm、スイッチング電流強度は12mA（磁界発生効率6.3 Oe/mAの導体線を仮定）となった。電流一致選択による書き込みにおいて10％の動作電流マージンを確保するためには、アスペクト比L/wが1.5以上であり、セル幅wの10％を超える構造欠陥が外周部に存在しない記憶セルが必要であることがわかった。