微小な埋込みヘテロ構造をもつフォトニック結晶導波路型InGaAs光ディテクタ

摘要

InPフォトニック結晶スラブ導波路中に，長さ1.7μm程度の微小なInGaAs埋め込みヘテロ（BH）構造を形成したpin光ディテクタを作製した．静特性における感度は約1A/Wと高く，また動特性として40Gb／sのNRZ アイパターンと約30GHzの3dB遮断帯域が観測された．これらの結果は，フォトニック結晶による強い光閉じ込めと，BH構造によるキャリア生成領域とpin接合の微小化により，高い量子効率，高速性，微小キャパシタンスが両立可能であることを示唆している．これにより，高い負荷抵抗の接続による高感度な光レシーバ，ならびにコンピュータコムに向けた低消費パワー光リンクへの応用可能性が示された．