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机译:メモリセル電位を適応的に降圧して書き込み動作範囲を低電圧化した1電源6-Tr CMOS SRAMの開発
小林伸彰; 伊藤隆祐; 榎本忠儀;
中央大学大学院理工学研究科;
CMOS; SRAM; 書き込み動作; 低電圧化; 電圧レベル変換回路; 面積オーハーヘッド;
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