Si{sub}3N{sub}4ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MIS-HEMT

摘要

Si{sub}3N{sub}4ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MIS構造HEMT (MIS-HEMT)の作製し良好な結果を得た。 AlGaN/GaN MIS-HEMTはSi{sub}3N{sub}4ゲート絶縁膜無しのAlGaN/GaN HEMTに比べて、グートリーク電流が約3桁程度減少していた。 また、低周波雑音においてはMIS-HEMTの方が通常のHEMTに比べて小さいという測定結果が得られた。 更に、電流コラプスもMIS構造にする事で抑制できた。