直接貼付InP／Si基板を用いたGaInAsPレーザの試作

摘要

直接貼付法を用いて薄膜InP層とSi基板を貼合わせ、作製されたInP／Si基板上に結晶成長を行うことでシリコンプラットフォーム上に光デバイス集積を実現する手法を提案してきた。今回、MOVPE法によりInP／Si 基板上にGaInAsP-InPダブルヘテロレーザの集積を行い、電流注入による低温発振特性の評価を行ったのでその結果を報告する。