AlGaN混晶の高品質化とデバイス応用

摘要

AlGaN混晶は紫外光デバイス実現のために必須の材料である。 本論文ではクラックフリーで低転位AlGaN厚膜の成長方法を報告する。そしてAlGaN系活性層を発光層として用いる場合、高効率発光を得るためには低転位密度化が重要である事を示す。 さらに、低転位密度化したAlGaN上に紫外LEDを試作した結果、発光中心波長363nm、半値幅4.8nmの単一な発光が得られ、発光出力は100mA (DC)動作で2.6mWという高効率紫外LED が実現できた。