水素照射型酸化濃縮法による歪緩和SiGe仮想基板の極薄化

摘要

酸化濃縮過程におけるSiGe仮想基板の歪緩和プロセスを検討した。 歪緩和率を仕上がりSiGe膜厚の関数として調べた結果、仕上がりSiGe膜厚が100nm以上では完全緩和したSiGe仮想基板が得られた。しかし、仕上がりSiGe膜厚が30nm以下では歪緩和率が40％以下であった。 この問題を解決するため、水素照射型酸化濃縮法にポストアニール法を重畳する手法を考案した。 その結果、中ドーズ(5×10{sup}15cm{sup}(-2))の水素照射後、酸化濃縮とポストアニール(1200℃)を行うことにより、極薄SiGe仮想基板（膜厚：28nm）において、高歪緩和率(70％)を実現した。