A New Plasma-Enhanced Co-Polymerization (PCP) Technology for Reinforcing Mechanical Properties of Organic Silica Low-k/Cu Interconnects on 300 mm Wafers

摘要

プラズマ共重合技術により，比誘電率を増加させることなく，膜の機械強度や成膜速度を制御した低誘電率膜が得られることを実証した。 また300mmウェハ上でプラズマ共重合膜を用いたLow-k/Cu配線を形成した。 本研究のプラズマ共重合技術を用いた気相成長Low-k膜は、誘電率k＝2.7を示すDVS-BCB (divinyl siloxane-benzocyclobutene）を基本骨格材料とし、高弾性率前駆体としてDIPB (diisopropenylbenzene）、反応促進前駆体としてC{sub}2H{sub}2を組み合わせHeプラズマ中で共重合させることで機械的特性 (ヤング率）や成膜速度の制御を実現した。 またプラズマ共重合低誘電率腹を用いた超低圧CMP技術と組み合わせることで，300mmウェハ面内均一性の良好な配線Low-k/Cu配線が得られた。