化学気相法によるGaN系ナノ構造埋め込み型粒子の作製

摘要

GaNを始めとするワイドギャップIII族窒化物半導体は，発光材料として優れた特性をもち，これまでにこの材料系を応用した短波長半導体レーザや高輝度発光ダイオードが実用化されている．その一方で，新たな展開として，これらの特徴を生かした大面積デバイスの開発も期待される．大面積用途に適した発光材料としては粉末蛍光体が用いられているが，一般に母体結晶に発光中心不純物が一様に添加された，均質な粒子からなる．そのような従来の粉末蛍光体に対し，我々は，一つ一つの粒子にナノサイズの単一量子井戸や、多数の量子ドットが埋め込まれた微粒子（ナノ構造埋込型蛍光粒子）を提案し，これを化学気相法を用いて作製するための研究に取り組んでいる．今回は，構造粒子の核となるAlN粒子の作製を行い，N{sub}2とNH{sub}3の各雰囲気による結晶性，粒子形状の温度依存性を明らかにした．