メモリ効果を有する電力増幅器に対するディジタルプレデイストータ

摘要

電力増幅器の非線形ひずみを補償する従来のプレディストーション方式では，信号が広帯域になててメモリ効果が無視できなくなると，補償特性が劣化する．本論文では，メモリ効果が増幅器の低周波における電源電圧変動によって引き起こされることを実験により示し，実測したデータをシミュレーションに導入する．更に，メモリ効果に対処するプレデイストータを示し，ひずみ補償性能が改善されることをシミュレーション，及び，実験によって示す．