CoPtCr-SiO{sub}2垂直磁気記録媒体の高次の一軸磁気其方性と高密度化

摘要

高次の一軸磁気異方性K{sub}(u2)を利用した，垂直磁気記録媒体の高密度化に関する基礎検討を行った．Ru シード上に作製したCoPtCr-SiO{sub}2媒体は，一軸磁気異方性の一次項K{sub}(u1)が大きく，Co{sub}70Pt{sub}30組成で約1.3×10{sup}7erg/cm{sup}3 に達するが，K{sub}(u2)の値は組成に依らず非常に小さいことがわかった．しかし，K{sub}(u1)およびK{sub}(u2)の値はシード層に用いる材料で大きく異なり，hcp-CoPtCrのc/a値が増加するにしたがい，K{sub}(u2)の値が増加し，K{sub}(u1)は逆に低下した．K{sub}(u1)およびK{sub}(u2),hcp格子の変形ならびに積層欠陥密度に依存するものと考えられる．SiO{sub}2の添加によりK{sub}(u1)およびK{sub}(u2)は低下するが，K{sub}(u2)/K{sub}(u1)はほとんど変化しない．CoPtCr-SiO{sub}2媒体は，400Gbits/inch{sup}2の記録密度を達成するために必要なK{sub}(u1)とK{sub}(u2)値を有することが明らかとなった．