ショットキーラップゲート制御GaAsナノワイヤCCDの試作と電荷転送動作の検討

摘要

同期型ナノワイヤ集積回路の構成要素として，GaAs系ナノワイヤをショットキーラップゲートで制御した電荷結合素子（Charge Coupled Device: CCD）の試作とその電荷転送動作について述べる．2つのラップゲートを設け，ゲート電圧をクロック制御することでドットを介した電荷パケットの転送を行う．試作デバイスにおいてクロック周波数に応じたDC電流が観測された．得られた電流は温度に依存しないことから，ゲートクロックによる同期電荷転送が実現されていることが確認された．