Si基板上の(Ga,Mn)Asの成長とその磁気輸送特性評価

摘要

我々は, Si基板上に多段階成長法によって成長させたGaAsバッファー層の上に(Ga,Mn)Asを成長させた。 磁化特性と磁気輸送特性の測定から,作製した膜は, 80 K以上の強磁性転移温度を示した。 また,成長後に低温熱処理を施した試料については,強磁性転移温度が115 Kまで上昇することを確認した。 Hall効果測定で,低温でHall 係数の符号が反転する現象がみられた。 これは,通常のn型半導体とp型磁性半導体との競合効果によって説明することができる。