化合物原料分子線堆積法によるAlN薄膜の低温堆積

摘要

化合物原料分子線エピタキシー(CS-MBE)法を用いて(111)Si，(0001)6H-SiC上にAlNの低温堆積を行った．X線光電子分光法(XPS)の測定結果より，Al及びNが薄膜中に含まれていることが分かった．カソードルミネッセンス(CL)測定を室温で行った結果，ディープレベルの発光を観測した．また，エレクトロルミネッセントデバイス(ELDs)への応用を目指しCS-MBE法による．GaN/AlNヘテロ積層構造の製作を行った．GaN/AlNヘテロ積層構造の製作には，薄膜堆積後に基板温度を保持した基板保温とAlN薄膜上への室温GaNバッファ層が有効であることを加えて報告する．