［招待講演］高信頼メタル／high-k CMOS SOI FinFETsのための高温イオン注入技術

摘要

高温イオン注入がメタルゲート/high-k CMOS SOI FinFETsの性能及び信頼性に及ぼす影響を調べた。高温イオン注入により、11nmの極薄SOI層において、イオン注入後も結晶状態が維持され、活性化アニールにより無欠陥な結晶が得られる。高温イオン注入を行ったnMOS及びpMOS FinFETsにおけるI_(on)-I_(off)、V_(th)ばらつき、BTI特性の何れも室温イオン注入に比べ改善することが分かった。