電気化学的手法によるGaN多孔質構造の形成と光電極特性

摘要

太陽電池や人工光合成等の光電極応用を目的として，電気化学的手法による多孔質構造の形成と，その光学特性の評価を行った．多孔質構造の形成には光支援電気化学エッチングを適用し，電気化学条件により孔の形状および寸法が大きく変化することを見出した．作製した試料の光学特性評価を行ったところ，特性が多孔質構造の表面形状や孔の深さに大きく依存することを明らかにし，多孔質構造の形状制御が重要課題であることを示した．さらに，多孔質構造の形成により光電変換効率の大幅な向上を確認し，光電極応用に有望な結果を得た．