［招待講演］強い短チャネル効果耐性と閾値変調性を持つ極薄膜InAs-on-Insulator Tri-Gate MOSFET

摘要

本研究ではInAs-OI MOSFETにおいてTri-gateの導入が電気特性に与える影響について調べた。Tri-gateを導入したことにより比較的小さい移動度の低下で効率的に短チャネル効果を抑えることができた。チャネル長20nmのデバイスにおいてはS.S.84mV／dec，DIBL 22mV／V, G_m 1.64 mS／μmを示す高い性能を達成した。さらにバックバイアスの印加により大幅な閾値変調性を実証した。また、さらなる性能向上のためにボディ膜厚の薄膜化の効果について検討した。短チャネル効果抑制と移動度の間にトレードオフ関係があることとその中でチャネル膜厚の薄膜化がMOS界面バッファ層膜厚の薄膜化より効率的であることを明らかにした。