光音響·発光同時計測によるInGaN量子井戸の内部量子効率の推定

摘要

窒化物半導体の光学的性質を正しく理解するためには，まず内部量子効率（IQE: Internal Quantum Efficiency）を正確に測定することが重要であると考えられる．これまでに，我々は光音響（PA: Photoacoustic）·発光（PL: Photoluminescence）同時計測によるIQE測定をGaN膜に適用し妥当な結果を得ている．しかしながら，この測定をInGaN単一量子井戸（SQW: Single Quantum Well）において行う場合，活性層がGaN膜に比べ非常に薄いため，PA信号強度が小さく，再現性のあるIQE測定が難しいという課題があった．そこで本研究では，PA測定のノイズ低減を行い，S/N比を1桁以上改善することに成功した．そして，この手法を用いて品質の異なる種々のInGaN SQWに対してIQE測定を行った．