しきい値電圧自己調整MOSトランジスタおよびSRAMセルの超低電圧（0.1V）動作

摘要

0.1Vという超低電圧で動作するV_(th)自己調整MOSFETを提案した．このデバイスでは，オン時にV_(th) が低下し，オフ時にV_(th)が上昇するため，高いオン·オフ比と安定なSRAMセル動作が得られる．提案デバイスはフローティングゲートを持ち，このフローティングゲートに電荷が注入あるいはフローティングゲートから電荷が放出されることによりV_(th)が自己調整される．0.1VにおいてnFETおよびpFETのV_(th)自己調整機能を実験により確認した．さらにV_(th)自己整合nFETとpFETからなる6T SRAMセルにおいて，V_(th)自己調整機能による0.1Vでの安定動作を実証した．