相変化不揮発性メモリの多値記録方式と回路構成

摘要

相変化不揮発性メモリ(PRAM)における新しい多値化手法と回路を提案する．記録素子材料であるカルコゲナイド半導体（例えば、材料組成としてGeSbTb）の抵抗は電流パルスを与えることにより変化させることが出来る．私たちはカルコゲナイド半導体としてSeSbTeを用いたメモリセルにおいて，その抵抗値が多段階に変化することを観測した．このことは1記録素子に複数bit記録できることを意味している．この観測結果を用いて2bitを記録するメモリセルを仮定し，0.35μm-CMOSプロセスにて回路を設計した．この回路より100MHzリードサイク）レにおいて，3nsec以内の読み出し速度を得た．