Impact of Dry Process Damage on Chemical Mechanical Planarization with Cu／low-k Structure

摘要

銅配線と低誘電率膜からなるLSI構造（Cu／low-k構造）においてドライエッチング工程後にLow-k膜中のC-H／C-C結合が大幅に低下し，そのためにドライエッチング工程有無でCMPメカニズムが大きく異なることを示した．この違いはCMP研磨剤中に含まれる界面活性剤がLow-k膜のC-H／C-C結合に吸着することに起因するものである．また銅配線加工時にLow-k膜中の炭素消失が不均一に発生することを明らかにした．このような膜を平坦にCMPするためには研磨剤設計が重要である．