大容量／高速ストレージを実現する3次元相変化メモリ

摘要

次世代の大容量ストレージ向けに、3次元縦型チェインセル相変化メモリを開発した。本メモリは積層された複数のゲートを一括加工して深孔を形成し、同部に相変化材料と駆動用の縦型トランジスタを配置したチェインセル構造を特徴とする。各チェインはポリSiダイオードにより選択される。本構造によりプロセスステップ数、セルフアクタ、及び設計ルールが縮小でき、3次元NANDフラッシュに対し1／5のビットコストを実現できる。加えて、リセット電流の低減と短時間書込みにより、転送速度を1GB／sに増大可能である。今回、4層の縦型チェインセルを試作し、選択動作と100万回の書換えを実証した。