Si基板上に直接成長した極薄InSb膜をチャネルとしたAl_2O_3／InSb MOSFET

摘要

表面再構成制御エピタキシー法を用いてSi（111）基板上に直接成長した6-25nmのInSb薄膜をチャネルとしてMOSFETを作製した．この方法で成長したInSb層は基板に対し30度面内で回転することにより，格子不整合が約3％に緩和されている．そのため，これらの極薄InSb膜はpseudomorphic的な特性を示す．作製したMOSFET は良好なI_D-V_D特性を示した．さらに，実効移動度の膜厚依存性を検討し，臨界膜厚に近づく薄膜化により，移動度が向上することが実験的に示された．