GaN微結晶を用いた紫外EL素子製作の検討

摘要

窒化ガリウム(GaN)微結晶を発光層に用いたエレクトロルミネッセンス素子（EL素子）の製作を行った．GaN微結晶のカソードルミネッセンス(CL)は，真空中でアニール処理することにより，発光強度が強くなる傾向がみられた．アニールしたGaN微結晶のCLスペクトルは，可視の発光成分を有するが，ウルツ範型GaNのバンドギャップに相当する紫外の光子エネルギー値にピークを有している．また，発光層製作には，沈降法による粒径選択を行った．粒径選択を行うことによりEL素子発光層の薄膜化および表面平坦性の改善を実現し，動作電圧の低減を実現した．