5W出力1.9GHz動作のAlGaN／GaN－HEMT SPDTスイッチ

摘要

アンドープAlGaN／GaNのHEMTを用いて、1.9GH動作、5W出力のSPDTスイッチを試作した。 HEMT構造は、アンドープAlGaN層のショットキゲート下に浅いリセスを形成して、ゲートリーク恵流を低減し、オーミック電極下に深いリセスを形成して、オーミック接触抵抗を低減する構造とした。 ゲート長0．8μm、ゲートオーミツク電極間1．1μmの構造で、FET幅1mmあたりのオン抵抗は5．8Ω、オフ容量は0．25pFであった。 このFETで構成したスルーFETlmm、シャントFETO．2mmのSP＿DTスイッチは、オン電圧OV、オフ電圧－15Vの条件で、l．9GHZでの損失が0．41dB、アイソレーションは33dBであった。 入力電力は36．9dBmまで確認でき、このときの電力圧縮はO112dBであった。 この結果から、提案したHEMT構造は、高出力、高周波のスイッチに有望であることが確経できた。