ミストCVD法によりc面サファイア基板上に高温下で成長したZnO結晶の発光特性

摘要

ミストCVD法によりc面サファイア基板上に高温下にてZnOを結晶成長した。原料溶液の濃度や結晶成長温度などの結晶成長に関する条件などを変化させたZnO結晶を成長し、これらについて電子線顕微鏡、X線回折評価などともに室温フォトルミネッセンス法によるZnOバンド端近傍に注目して発光特性について検討した。