MBE法による炭酸系化合物（Ba_xSr_(1-x)）_2Cu_(1+y)O_(2＋δ)（CO_3）_(1-y)薄膜の作製

摘要

本研究では，MBE法を用いて炭酸系超伝導体（Ba_xSr_(1-x)）_2Cu_(1+y)O_(2+δ)（CO_3）_(1-y)の合成を試みた．真空チャンバ内にCO_2ガス及び酸化源としてNO_2ガスをそれぞれ導入することによりSrTiO_3（001）基板上に（Ba_xSr_(1-x)）_2Cu_(1+y)O_(2+δ)（CO_3）_(1-y)（x ≥ 0.3）を成長させることができた．SrTiO_3（001）基板上に成長した薄膜はc軸が基板表面に垂直で，面内の方位関係は基板［110］方向に沿って薄膜［100］がエピタキシャル成長していた．NdGaO_3及び（LaAlO_3）_(0.3)（SrAl_(0.5)Ta_(0.5)O_3）_(0.7)基板上にも同様な条件で成膜したが，エピタキシヤル薄膜は得られなかった．いずれの薄膜も電気抵抗特性は半導体的であり，超伝導特性は示さなかった．