GAN ELO結晶上微小ショットキー接合の電気特性評価

摘要

GaN ELO結晶上に形成した微小ショットキー接合のI-V特性を測定した。 得られた特性はn値が1に近い良好な特性と、n値が大きい不良特性との二つに分類された。 n-GaAs上に形成した微小ショットキーではこのような傾向は見られず、均一でばらつきのない特性が得られた。 このことから，GaNで見られた不良特性は測定系や製作プロセスに由来するものではなく，何らかの結晶欠陥に起因するものであることがわかった。 CL評価を用いて、この不良特性とGaNの転位との対応を調べた。