MBE法によるSrTiO{sub}3/SrO/Si上へのBi{sub}2Sr{sub}2CuO{sub}x薄膜の作製

摘要

我々はSrの照射によるSi(001)面の変化と、それを用いたSrO, SrTiO{sub}3(STO)とBi{sub}2 Sr{sub}2CuO{sub}x(BSCO)薄膜の成長について、RHEED, AFM、XPSを用いて研究を進めている。 膜の堆積はMBEチャンバー内においてなされた。 Si (001）基板上に化学的に形成されたSiO{sub}2層は基板温度800℃の下でSrにさらすことで取り去られ、そのRHEEDパターンにおいては安定でかなり規則正しい(2×1)構造が明瞭に観測される。 エピタキシャBSCO膜は、Si(001)上に直接成長できない。 それ故にダブルSTO/SrOバッファー層がSi(001)－Sr(2×1)表面上に成長されている。 XRDパターンはSTO/SrO/Si上に結晶性BSCO膜が成長することを示している。