高信頼性TFTを達成するためのポリイミド基板についての報告

摘要

ポリイミド基板上に作製された自己整合型トップゲート酸化物TFTの信頼性について調査を行った．BTS試験におけるVthの変動量が、ポリイミド膜の体積固有抵抗と相関があることを確認した．TFTの構造が同じ場合、ガラス上に形成されたものと同等の信頼性を得るには、ポリイミド膜の体積固有抵抗を3×10~(17)Ωcm以上にすることが望ましいと考えられる．