磁界印加による面発光型半導体レーザの発振特性変化

摘要

半導体レーザの発振波長は、組成や構造、レーザ温度、注入電流、磁界印加などにより変化することが知られている。本研究では、実用性や応用面から常温（約300K）·比較的弱磁界（～0.5T）という条件下での半導体レーザの発振特性変化の解析を行っている。これまでの研究では、測定資料にファブリ·ペロー型半導体レーザを用いて、長波長側への波長シフトを観測した。今回は測定資料を面発光型半導体レーザ（VCSEL）とし、磁界による発振波長変化の解析を行った。