SOIを用いたキャパシタレス·ツイントランジスタM (TTRAM)

摘要

本稿では，SOIを用いた新規のメモリとして，キャパシタレス·ツインセルトランジスタRAM (TTRAM)を提案する。 提案するTTRAMは，従来のSOI-CMOSプロセスと互換性があり，特別なプロセスを必要としない。 今回は130nm SOI-CMOSプロセスを用いてメモリ容量2Mbのテストチップを試作し，2つのメモリセル（ツインセル）が2つの保持状態を持つこと，及びデータ保持時間が、80℃で100msとなることを確認した。 また，6.1nsのアクセス時間と250MHz動作（2バンク·8ビットバーストモード）を確認した。