ニュース解説

摘要

（株）東芝は，衛星通信基地局やレーダなどで用いられるマイクロ波固体化増幅器向けの高周波#12539;高出力素子として，X帯 ?～12GHz）において出力80Wを超えるGaN（窒化ガリウム）電力HEMT（High Electron Mobility Transistor：高電子移動度トランジスタ）の開発に成功した．これまでX帯における出力100W級の固体化増幅器は，GaAs（ガリウムひ素）電力FETを並列接続することにより作られている．