PLD法により低温成長したIII族窒化物の特性

摘要

PLD法はIII族原料を高い運動エネルギーを持った状態で間欠的に供給できるため、結晶成長温度の大幅な低減が実現でき、従来手法では基板として利用できなかづた化学反応性の高い材料上に良質なIII族窒化物薄膜の成長が可能となる。 今回、Hf(0001)基枝上へのGaN及びZnO(000-1)基板上へのAlGaNの室温成長を試み高品質な薄膜がレイヤーバイレイヤーモードで成長することを確認した。 また、Cu(111)基板上にも同様な低温成長技術を用ぃることによりGaNのエピタキシャル成長が実現することを見出した。